マグネシウムシリサイドは、0.7-0.8 eVの禁制帯幅を有する半導体である。高いゼーベック係数を持ち，有害元素を含まず，埋蔵量も豊富なため，環境負荷やコストの観点から非常に有用な熱電変換材料として期待されてきた。しかし、マグネシウムはシリコンに比べて蒸気圧が高く、基板での凝縮係数が低いために，高品質の薄膜を得ることが難しいという問題があった。また、ほとんどの試みはシリコン基板上に合成するものであった。著者らは、はじめてサファイア基板を用いて良質の多結晶Mg2Si薄膜を合成することに成功した。本報告では，合成法と合成膜の構造解析、分光透過率測定などの結果を紹介する。 （申し訳ございませんが、可能であれば、24日の講演を避けていただければ幸いです。）