スイッチング電源では，高速スイッチング化に伴いコイル(トランス) やコンデンサの体積を削減できることから，電源全体の更なる小型化に期待が寄せられている．その為，スイッチング素子の材料として高移動度や高耐圧を有するワイドギャップ半導体(SiC，GaN)が精力的に研究されている．本研究では，最表面をガリウム(Ga)または窒素(N)としたSapphire基板上のGaN薄膜を用意し，多機能な原子間力顕微鏡(AFM/KFM)により表面形状及び表面電位を同時・同一箇所観測した．結果から，Ga面はN面に対し約100 mV電位が高いことが確認された．これは，結晶表面における分極の向きが異なることによるものだと示唆される．また，N面において約80 nmの欠陥が確認された．これは，GaとNの原子半径の違いによるものだと考えられる．