近年、光吸収が強く太陽電池応用に適しているカルコパイライト系I-III-VI₂族化合物半導体が注目されている。カルコパイライト系材料は混晶化することによりバンドギャップの制御も可能となる。これまでのところ近接昇華法によって高品質で組成が保たれたAgGaTe₂、AgAlTe₂、CuGaTe₂の作製に成功してきた。AgGaTe₂の室温におけるバンドギャップは太陽電池に適しているとされている値より少し小さいため、バンドギャップの大きいAgAlTe₂に注目し、AgGaTe₂とAgAlTe₂の混晶であるAg(Ga,Al)Te₂を作製することでバンドギャップ制御が可能かを検討した。特に今回はAgGaTe₂とAgAlTe₂のパウダーを混合したものをソースとして用いることを検討した。本研究では、ソース中のAgGaTe₂とAgAlTe₂のパウダー混合比が薄膜のバンドギャップにどのような影響を与えるかについて検討した。