我々はテラヘルツ波検出素子への応用に向け、サファイア基板上に高品質ZnTe薄膜の作製を行っている。MBE法を用いてサファイア基板上にZnTe薄膜を作製すると、ZnTe薄膜はサファイア基板の方位や原子配列の影響を受けて成長方位が決まる。しかし、サファイアとZnTe間では大きな格子不整や結晶構造の違いのため成長膜の結晶性が悪くなってしまう。そこで我々はZnTe薄膜の結晶性を改善する方法として、横方向成長(Epitaxial Lateral Overgrowth: ELO)に注目した。SiO2マスクを施したサファイアc面基板上にMBE法を用いてZnTeを成長させ、サファイアc面基板上ZnTeのELOについて検討した。その結果サファイアc面基板上へのZnTeの横方向成長が可能であるとの知見が得られた。