磁性体に高周波電流を直接通電し, 外部磁界印加時の透磁率変化及び表皮効果によるインピーダンス変化を利用した高周波キャリア型あるいはMIセンサは高感度という特徴を有する。この磁界センサの小型化において薄膜利用は有効な手段であるが, 反磁界の影響による感度低下の克服が課題である。我々は, 反磁界の分布が素子特性に及ぼす影響について実験的に明らかにしてきた(1)が, ここでは解析的にその振る舞いについて検討を行ったので報告する。