インピーダンス整合を考慮したマイクロストリップ型プローブを磁性薄膜に近接させることで非破壊に数nm厚の極薄膜の透磁率の測定を試みた。 透過係数を用いてインピーダンスを算出する。膜厚方向へ電流が表皮効果で偏ることでインピーダンスZsが決定されることを仮定しNewton-Raphson法により、複素透磁率を最適化する。 強磁性共鳴の周波数付近を含めて、LLG方程式と渦電流を考慮した理論値及び測定値は約 7 GHzまで概ね一致し、極薄膜の透磁率を測定出来ていることが確認できる。