近年，高周波磁気デバイスの動作周波数がGHz帯に到達するようになり，高透磁率かつGHz帯の強磁性共鳴（Ferromagnetic resonance：FMR）周波数を有する軟磁性材料が注目を集めている。なかでも，Co85Zr3Nb12 (Co-Zr-Nb) アモルファス膜はこれらの特長に加えて高飽和磁化，低保磁力かつゼロ磁歪であることから，基礎物性およびデバイス応用の観点から広く研究されている。しかしながら，高透磁率，FMR周波数，ダンピング定数などの高周波磁気特性がZrおよびNb組成による変化に関しては，十分に理解されていない。本研究では，ZrおよびNb組成の異なるCo85-(x+y)Zr3+xNb12+yアモルファス膜の高周波磁気特性を評価し，これらの膜における高周波磁気特性のZrおよびNb組成による変化について議論した。