電気学会全国大会講演要旨
6-026
微小欠陥を含むエポキシの長時間V-t特性
○植田玄洋・和田純一・岡部成光(東京電力)・何 志賢・西田智恵子・清水芳則・亀井光仁(三菱電機)
現在,ガス絶縁開閉装置(GIS)の高経年化が進んでおり,その健全性の見極めが重要となってきている。GISの絶縁面での寿命を決める要因の一つとして,絶縁スペーサの劣化が考えられる。GISを長期に信頼性を保ちつつ使用するには,経年による絶縁物の劣化特性を把握する必要がある。本課題に対し,筆者らはまずエポキシ絶縁物中に微小クラック欠陥が存在した場合の劣化特性(V-t特性)を電界加速試験により取得した。次に実運転電界レベルでのV-t特性を取得する手法として周波数加速による加速劣化の妥当性を確認した。今回,この周波数加速試験により実運転電界に近い低電界領域でのV-t特性を取得したので報告する。