電気学会全国大会講演要旨
6-036
低真空とした真空インタラプタ内の放電電流特性
◎横道洲星・中岡崇志・田井裕己・小迫雅裕・匹田政幸(九州工業大学)・佐藤和弘・鉄 則幸・浦井 一・土屋賢治(日立製作所)
キュービクル形ガス絶縁開閉装置内部の真空遮断器(VCB)の遮断部である真空インタラプタ(VI)の経年劣化による真空度低下があると,VI内部で放電が発生し,故障に至る恐れがある。そのため,絶縁破壊の前駆現象である部分放電(PD)を検知し,未然に事故を防ぐことが重要になる。筆者らは,これまでVI中の真空度低下を想定した場合の放電検出による診断技術開発について検討を行っている。今回,真空度低下を模擬して低真空としたVI内の放電電流特性に関して実験・検討をおこなった