筆者らはパワー半導体を用いた低圧直流遮断器を提案し，これまでにパワー半導体としてIGBTを用いたモデル器を試作して特性評価を行なってきた。その一環として，IGBTに電磁リレーを並列接続する構成も考案してきた。この目的はIGBTの順電圧降下に起因するモデル器の定常損失低減である。本報では，そのような構成をもつモデル器について，定常電流通電実験および突入電流遮断実験を行なったので報告する。