筆者らは、太陽電池のI-V カーブをより正確に評価する手法として、第１象限から第4象限までを測定する手法を提案している。この手法を用いることで、I-V特性がより詳細に得られるという利点がある。本研究ではモジュールを直接接続し、その標準モジュールストリングの中に意図的に劣化モジュールを混ぜることで、特性全体にどのような影響を与えるかを検証した。この精度を確認することで、ストリングごとを定期的に測定することで、より正確な評価の可能性、更には劣化の初期段階での発見が確認できることを意図している。結果、ストリング全体におけるI-V カーブを評価することで、劣化の指標となる回路定数値の変化を確認できることが分かった。