太陽電池モジュールの異常の代表例の１つとしてホットスポットがある。危険なホットスポットの判断基準を定めるためにホットスポットの発生機構を実験で検討した。ホットスポットは太陽電池モジュール内の遮光されたセルに逆バイアス電圧がかかって電力消費状態となり発熱することで発生する。そこで、ほぼ同等性能をもつ多結晶Siセル30個で擬似モジュールを構成してセル1個のみを遮光したところ、上記発生機構を確認できた。ところがすべてのセルを遮光しない場合、個々のセルに電圧計を接続しただけで逆バイアス状態となった。これは個々のセルに生じたわずかな変化だけで逆バイアス状態やホットスポットが発生することを示唆している。