現在普及している半導体デバイス故障解析手法(OBIRCH法)はレーザによる熱刺激を利用している。しかし、半導体デバイスのパッケージ樹脂はレーザが透過しない。そこで、本研究ではパッケージ樹脂を透過できる集束超音波を応用した非破壊的な故障解析手法を検討した。 本研究ではエポキシ樹脂に覆われた模擬配線試料で基礎実験を行った。実験の結果、加熱対象配線の位置にコントラストを有する超音波刺激像が得られた。本システムは超音波をAM変調し配線に照射するため信号強度は変調周波数一周期あたりの加熱時間に依存する。この依存性を測定した。 以上より集束超音波による非破壊的な半導体デバイス故障解析手法の可能性が示めされた。