誘導結合型プラズマに印加される対向発散磁界の分界面の電子閉じ込め効果を解析するため、アルゴン中モデル電磁界下の電子運動をモンテカルロ法により模擬した。本研究では、閉じ込め効果評価の際に電子そのものの分界面通過を判定してきたが、今回電子の旋回中心による分界面通過の判定を試みた。新旧判定法を比較するため、各方法で分界面を通過したと判定された電子のうち底部に達し閉じ込めから逃れたことが決定的とみなせる電子数を比較した。電子そのものの位置で判定した場合より、旋回中心で判定した場合の方が底部到達率が高かった。よって、旋回中心で分界面の通過を判定する方が、閉じ込めの評価法として実効的であると考えられる。