近年、微細加工技術の発展に伴い電子機器の高集積化が進んでいる。それにより微小ギャップにおいて発生するESD(静電気放電)による機器の故障が問題とされており、微小ギャップにおける絶縁破壊特性の解明、機器をESD から保護する対策部品の開発が求められている。本研究ではマイクロギャップにおけるガラス上および空気中ギャップの絶縁破壊電圧特性の差異を調査した。その結果、BDV-L特性はガラス上ギャップおよび気中ギャップともにギャップ長50〜100 µmを境に特性の傾きが変化した。ギャップ長50 µm以内では、両者同じ傾向を示した。100 µm以降からガラス上ギャップには一定の値をとる傾向、気中ギャップには緩やかな増加傾向が見られた。