従来の円筒型誘導熱プラズマは高速表面処理に応用可能であるが，大面積化が困難という問題がある。筆者らはこれまでに，熱プラズマによる大面積プロセスを目指し，ループ型トーチを使用したループ型誘導熱プラズマ装置を開発している。この装置はループ型トーチを円型コイルにより挟み込み，トーチ面に垂直な交番磁界を印加して誘導熱プラズマを維持するものである。このループ管内で誘導熱プラズマを発生・安定維持できることを確認している。このループ型誘導熱プラズマの一部を基板の表面上に生成させることで，横方向に長い処理が可能となる。本報告では，圧力を変化させてSi基板の酸化試験を行い，酸化膜が横方向に一様となる条件を探索した。その結果，変動幅が28.7％となるような酸化膜を生成できた。