局所電界を有する平板電極での絶縁破壊電界Eの低下は実行破壊電界βE一定という観点から、局所電界により電界増倍係数βが増加すると考えてきたが、局所電界とβの物理的関係は明らかでない。その関係を明らかにするため、局所電界と電界電子放出電流の関係に着目し、孔が0、1、4、9個の小型多孔電極を用いて、絶縁破壊試験を行った。その結果、局所電界を有する平板電極において、電界電子放出電流は電極面積と局所電界の影響を含んだ電界積分値で決まるということがわかった。電界積分値が電界電子放出電流を決定し、電界電子放出電流と電圧よりβが求まるため、局所電界を有する平板電極での βの増加は電界積分値の変化によるものである。