近年、半導体産業の発展によりパルス重イオンビームを用いることでイオン注入とアニール処理ができるパルスイオン注入法が注目されている。しかし生成するイオンビームの純度が低いという問題があるため我々は加速の段階で純度向上可能な両極性パルス加速器の開発を行ってきた。イオン源での実験条件をN2ガス0.26 MPa、ガスパフとプラズマガンの充電電圧6.0 , 12.5 kVとし、アパーチャー1.0 mmのバイアスイオンコレクタをアノード表面から80 mm離して検出した時、イオン電流密度Jiは最大約3.0 A/cm2となった。加速実験の際はJiが最大をとる時間で両極性パルス電圧を印加する必要がある。本発表では各装置の適切な動作タイミングと加速させたイオンビームの特性評価を報告する。