近年、多くの電気機器が普及し、機器の小型・高性能化により、使用される厚さ数マイクロメートルオーダーの絶縁材料の絶縁性能の評価が望まれている。当研究グループでは薄膜絶縁材料の評価を行うために、測定装置の位置分解能の向上を図ってきた。これまでに、厚さ25 µm程度の試料の評価を行うことが可能である、位置分解能2 µm程度の測定装置の開発に成功した。今回、測定装置のさらなる高分解能化に向け、高分解能型測定装置を用いて、半導体空乏層内の空間電荷分布測定を行った。その結果、空乏層における逆バイアス、順バイアス特性だと考えられる、出力信号波形が印加電界の極性によって、増減する傾向を観測することができた。