近年、シリコンカーバイド（SiC）等を使用した200 C以上の高温環境、300 kV/mmの高電界下で動作するパワー半導体が注目されている。このような素子の封止材料として、高温、高電界下で利用できる新たな絶縁材料の開発が望まれており、特に従来より使用されているエポキシ樹脂を改良する研究が盛んに行われている。一方、高分子絶縁材料では空間電荷が蓄積することで、材料の絶縁破壊電界を低下させる場合がある。よって本報告では、高温高電界環境下でのエポキシ樹脂の絶縁性能を調査するため、未処理および加熱処理を施したエポキシ樹脂に直流電圧を印加、その時の空間電荷挙動を観測し、加熱加湿処理が空間電荷蓄積を促進することを明らかにした。