電気学会全国大会講演要旨
2-086
Se金属蒸気を用いたIn薄膜の低温セレン化処理
◎一戸善弘・矢神雅規・三澤顕次(北海道科学大学)
一般的にInのセレン化はInの融点以上で行なうが、今回は我々はIn融点以下(100℃)でセレン化処理を行なった。その結果、融点付近でセレン化を行なうのと同様にIn-Se系化合物が作製できたので報告する。また、融点以下で作製したIn-Se系化合物について熱処理を行なった結果についても報告する。