AgGaTe₂は太陽電池材料に最適なバンドギャップに近い値を持ち、これまでに近接昇華法を用いてSi基板上に高品質なAgGaTe₂薄膜の作製に成功している。太陽電池の変換効率向上のためには薄膜内の光励起・再結合プロセスを理解することが重要であり低温フォトルミネッセンス(PL)法による評価が有効であると考えられている。そのため本研究ではPL測定によってAgGaTe₂薄膜を評価することとした。PL測定を行ったところ、AgGaTe₂の欠陥由来、バンド端由来のピークを確認することが出来た。また作製条件によって発光スペクトルが変化していることが明らかになった。このことから、PL測定は高品質なAgGaTe₂薄膜を得るための指標となることが期待できる。