ZnTeは電気光学素子への応用が注目されている材料である。我々はサファイア基板上ZnTe薄膜構造に注目した。サファイアとZnTeは結晶構造が異なることから、平坦な表面、優れた結晶性・光学特性を有する高品質なZnTe薄膜の作製は難しい。そこで、ZnTeと大きな格子不整合があるが、素子化への応用が可能な高品質ZnTe薄膜が作製できることが知られているGaAs基板上ZnTe薄膜と特性を比較し、サファイア基板上ZnTe薄膜がどの程度の特性を示すのか評価を行った。両者のPL測定結果から励起子発光であるY発光、FE発光が確認された。そのため、サファイア基板上ZnTe薄膜はGaAs基板上ZnTe薄膜と同等の膜質を有しており、素子化への応用が可能であると考えられる。