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表面酸化カルボニル鉄／エポキシ複合材料磁心インダクタを用いた1 MHz降圧DC-DCコンバータの特性評価
◎上野敦也・杉村佳奈子・柴本大輔（信州大学）・佐藤紘介（長野県工業技術総合センター）・曽根原 誠・佐藤敏郎（信州大学）・金沢秀一（ミドリ電子）
高速スイッチング・低オン抵抗の特徴を有するSiC／GaNパワーデバイスを用いた超小型MHz帯スイッチングDC-DCコンバータの実現が望まれている．それに伴いトランスやリアクトルに用いる磁心材料の高周波化が望まれている．筆者らは高周波渦電流損を低減できる高抵抗皮膜を形成するために表面酸化処理を施した1.6μm径の微細なカルボニル鉄粉とエポキシ樹脂からなる表面酸化CIP/Epoxy磁心インダクタを試作しGaN-HEMTモジュールを用いた1MHz降圧DC-DCコンバータに適用し電源特性の評価を行った．本報告では表面酸化処理を施す前のカルボニル鉄粉とエポキシ樹脂の複合材料を用いたインダクタ，更にはMn-Znフェライト磁心インダクタを用いた場合と比較・検討した結果についても述べる．