MEMSへの磁石膜応用を鑑み，スパッタリング法を中心として金属以外の基板への磁石膜の成膜が報告されている。しかしながら上記のものは，(1)厚みが20 μm程度にとどまっており，外部へ十分な磁界を供給するには，更なる厚膜化が望まれる，(2)Ta下地層を用いており，微細加工時に問題を生じさせる等，改善すべき点が見られる。そこで，本研究ではPLD法を用い，Pr-Fe-B系磁石膜を下地層なしのテンパックスガラス基板上へ成膜する手法を試みた。その際，希土類含有量を化学量論組成より増加・減少させた幅広い組成領域で制御し，100 μmまでの厚膜化を実現したので，その磁気特性を中心に報告する。