本研究では，RFスパッタ法による窒化鉄積層薄膜の生成に対するDCバイアス電圧の影響を試みた。X線の結果として，DCバイアス電圧を印加しない場合，γ'^Fe4Nの単相膜が認められ，DCバイアス電圧-210Vを印加したとき，α-Feの単相膜が認められた。DCバイアス電圧-250Vを印加した膜では，膜中に若干の窒素の混入が認められた。本研究では，負バイアス電圧を印加もしく印加しないことで，窒化鉄積層薄膜の生成に成功した。