AMRセンサの高感度化を目指し、磁場中製膜、及び磁場中熱処理を用いてAMRセンサ素子の磁気異方性を誘導し、形状磁気異方性との大きさのバランスを調整することによって小さな外部磁場でもAMRセンサ素子の磁気モーメントの回転がおこりやすい素子の製作を行った。 素子幅方向に磁気異方性を誘導し、22〜23mΩ/Oeで電気抵抗が変化する素子サンプルを製作した。 この値は同条件で幅方向に磁気異方性を誘導せずに製作した素子サンプルの2倍の値を示した。 今後、磁場中熱処理を用いて誘導した磁気異方性の大きさを調整し、AMRセンサ素子を高感度化させていく。