半導体素子の非線形特性を利用した小規模回路によって，1以上或いは1以下の任意のガンマ値を実現するガンマ補正回路を提案した．提案回路においてはサブスレッショルド動作させたMOSFETの指数特性を用いることによって，画像入出力装置に必要なガンマ値0.19から5.2をカバーすることができた．さらに，サブスレッショルド動作するMOSFETのバイアス電流が極めて低く抑えられるため，提案回路は超低消費電力となり，LSIの微細化にも有利となった．