旭硝子製CYTOPを電荷蓄積層とする有機薄膜トランジスタ(Organic Thin Film Transistor : OTFT)を作製し、メモリデバイスへの応用を検討した。ゲート絶縁膜にシリコン酸化膜、チャネル層にp型有機半導体であるペンタセンを用いた。 作製したOTFTはエンハンスメント型で、移動度は1.57×10^-4 cm²/Vsであり、ON/OFF比は4.64×10³であった。 次にOTFTのゲートに正バイアス、負バイアスをそれぞれ印加して伝達特性を測定した。 バイアス印加しない状態でのしきい値電圧は-25Vであった。正バイアス時に得られるOTFTのしきい値電圧と負バイアス時に得られるしきい値の差をとると、1.4V程度しきい値電圧のシフトが得られたため、メモリ特性が確認された。これによりCYTOP薄膜への電荷蓄積が確認できた。