室温動作できる超薄膜Pt水素センサを報告してきたが、回復時間が長いという問題があった。この改善方法として、パルス電流を印加して瞬間的に加熱するという手法を用いた。しかし、そのときに超薄膜のPt層の下に接着層としてTiを用いた素子では、センサ出力がドリフトするという問題があった。本研究では、超薄膜のPt層の下に接着層として用いていたTiをTiNとしたことによって改善できたので報告する。接着層にTiを用いた素子では、パルス電流を加えたときにPt表面から拡散した酸素により酸化反応がおこることがドリフトの原因であることを明らかにした。このため、酸化しにくいTiNとすることにより熱的安定性を向上させることができることが分かった。