シリコン・カーバイド（SiC）半導体は，シリコンより高耐電圧で高温に耐える。金属のアーク接点が主であったスイッチ，開閉器，遮断器を無アーク化して，高性能，長寿命，低ノイズ化が可能である。しかし金属接点に比べて，導通損の点ではまだ1桁以上劣る。そこで半導体スイッチと金属接点の良いところを組み合わせて，通電は金属接点で，遮断は半導体でというハイブリッドな開閉器が提案されている。本論文では，双投スイッチを用い，半導体スイッチのゲート駆動を簡単な構成で可能にするハイブリッド開閉器と，MOSFETの活性領域を使った開閉サージの抑制について紹介する。