近年，SiCパワーデバイスの研究開発が盛んにおこなわれており，1,200 V耐圧のMOSFETが市販されるようになってきた。しかしながら高耐圧素子については研究開発段階であることから，現時点では入手が困難である。パワーデバイスの直列接続技術はこれまで盛んに検討されてきているが，本論文ではSiC-MOSFETを対象として1,200 V耐圧の素子を直列接続するための技術として，ゲート信号遅延と電圧分担の関係について実験により検討したので報告する。