近年、高耐圧、低スイッチング損失、かつ、動作が高速であるワイドギャップ半導体が注目されている。 しかし、MOSFETの動作が高速であるがゆえにスイッチング損失の測定と特定が困難であるし、回路上の様々な要因でスイッチング損失が大きく変化する。 そこで、SiC-MOSFETであるROHM社製SCT2120AFをターゲットにスイッチング試験回路を試作し、ダブルパルス法を用いてスイッチング損失測定を試みた。