近年，パワーエレクトロニクス回路は高パワー密度化が求められており，低損失で高速駆動が可能である次世代パワーデバイスが注目されている。特にGaNデバイスは高速駆動が可能である上に低損失なデバイスとして研究開発が進められている。本論文ではGaNデバイスと電気的定格が等しいSiデバイスを選定し，スイッチング周波数100[kHz]の昇圧チョッパ回路のスイッチング素子のみを変更することで比較を行い，出力1[kW]までの効率特性，デバイス損失を実測した。実測結果からSiデバイスとGaNデバイスの比較を行い，GaNデバイスの有用性を定量的に確認した。