近年、SiCパワーデバイスを用いた電力変換回路の幅広い利用が検討されている。 特に車載などの用途では、電力変換回路の小型軽量化が要求される。スイッチング周波数を高くすることで小型軽量化できる。 本稿では、SiC MOSFETを駆動するゲートドライバに着目し、ISMバンドのひとつである13.56MHzでのスイッチングを目標とする。 特に、SiC MOSFETおよびJFETに着目し、ダブルパルス試験によりこれらの動特性の測定を行った。 その結果、JFETは、すべてのゲート抵抗においてMOSFETよりスイッチング速度が速いことが確認できた。 ゲート抵抗が20Ωのとき、JFETの立ち上がり時間、立ち下がり時間はMOSFETの6%、14%となった。