最近注目されているSiCは、絶縁破壊電界がSiの約10倍であることから、導通領域の厚さを1/10にすることができるため、高耐圧なユニポーラ素子を実現することができる。先行研究では、SiCデバイスを使用するとスイッチング損失が数分の1程度になること、同期整流の有用性が確認された。本研究では、さらにスイッチング損失の電圧およびゲート抵抗依存性を確認し報告する。評価より、SiとSiCデバイスのターンオン・オフ損失の評価電圧依存性とゲート抵抗依存性を確認でき、SiCは主にターンオン損失の低減に大きな効果があることが分った。今後は同期整流を行った場合のデットタイム依存性評価を行い、同期整流を実施するための課題の明確化を目標とする。