パワーMOSFETの材料として，高耐圧化，高耐温化，高周波化を可能とするSiCに注目が集まっている．電力変換回路にSiC パワーMOSFET を用いることで，回路の一層の性能向上が期待される．特に，E級電力変換回路に代表される共振型回路の設計では，回路シミュレーションによる回路定数の最適化が重要となる．我々の研究グループは表面電位モデルに基づくSiCパワーMOSFETモデルを提案しており，本稿では，回路シミュレーションによるE級増幅器の設計例を通じて，表面電位モデルが設計に適用可能であることを示す．