SiC-MOSFETはSi-IGBTに対して，スイッチング損失の低減や小電流域での導通損失の低減が期待されている。さらに，ボディダイオード利用による外付け還流ダイオード（FWD）レス化が期待されているが，リカバリ損失の低減が課題である。リカバリ損失の低減方法について，Si素子では，デッドタイムを短縮することによりリカバリ特性を改善する手法が報告されているが，SiC-MOSFETボディダイオードでは報告されていない。本研究では，SiC-MOSFETボディダイオードのダイオード導通時間短縮によるリカバリ損失低減効果を実験的に検証した。その結果，デッドタイム短縮によってSiC-MOSFETボディダイオードのリカバリ損失を低減できることを示した。