オールSiCインバータの適用デバイスは、SiC-MOSFETとSiC-SBDの組み合わせが多い。SiC-MOSFETボディダイオードを利用すれば、SiC-SBDレス化が可能となり、半導体チップ面積削減による、モジュール小型化が望める。しかし、SiC-MOSFETボディダイオードは、結晶欠陥などによる、Vf劣化の信頼性問題がある。インバータ交流短絡事故の大電流を遮断すると、その大電流は、ダイオードを通して還流する。今回、この還流電流を想定した、1.2kV SiC-MOS FETボディダイオードのVf劣化評価を実施したので、その結果を報告する。