本論文では、熱設計に必要なパワーデバイスの熱抵抗測定法について検討する。Static法による過渡熱抵抗測定をSi、SiCそれぞれに適用する。 ダイオードについてはSi、SiCに関わらず、Static法による過渡熱抵抗測定が可能である。MOSFETでは、Siは妥当な結果が得られるが、SiCでは温度算出にゲート閾値電圧の動的変化の影響を受けるため、被測定デバイスのK-ファクタを用いた温度算出では、過渡熱抵抗の測定が難しい。