近年，電力変換回路の小型・高効率化を目的として，SiCやGaNを用いたパワーデバイスの開発が盛んにおこなわれている。 パワーデバイスのスイッチング試験において，主回路寄生インダクタンスはサージ電圧やスイッチング損失に影響を与えるため特性評価における重要なパラメータである。 主回路バスバー配線の寄生インダクタンス設計は提案されているが，キャパシタを含めたスイッチング試験装置の一般化した設計指針は検討されていない。 本論文は主回路寄生インダクタンスの規格化を用いることで，パワーデバイスの電圧・電流定格およびスイッチング時間を考慮したスイッチング試験装置の検討方法を示す。 さらに，SiC-MOSFETを用いた500 V，400 Aのスイッチング試験により，主回路配線やキャパシタを含めた寄生インダクタンス設計指針を示す。