近年，SiCやGaNなどのパワーデバイスを用いた研究開発が盛んに行われている。これに伴い回路周辺の寄生パラメータ設計に関する研究が進められているが，従来の寄生インダクタンス解析に関する検討では，各配線の自己インダクタンス成分のみしか議論されてこなかった。一方，電力変換回路においては，主回路配線ループとゲート駆動回路配線ループの2つの配線が存在するために，相互インダクタンスを考慮する必要がある。 本稿では，ゲート駆動回路と主回路の配線間の相互誘導に着目し，相互インダクタンスがスイッチング特性（サージ電圧とスイッチング損失）に与える影響について検討したので報告する。