電気学会全国大会講演要旨
4-023
回路シミュレーション用高精度デバイスモデルを用いたIGBTゲート駆動条件の一検討
◎吉田大智・上村浩文・松本寛之・藤本 久・大熊康浩(富士電機)
ハードウェア実験によるゲート駆動条件の検討には時間的にも物質的にも大きな労力が必要である。 そこで、高精度デバイスモデルを用いたスイッチング特性解析モデルを作成し、回路シミュレーションによりゲート駆動条件の変化がサージ電圧とスイッチング損失に与える影響の検討を行った。