低損失・低ノイズ化を実現する次世代SJ-MOSFET(Super J MOS^Ⓡ S2、以下S2)を開発したので、その特性について報告する。S2のRonAは当社従来製品(Super J MOS^Ⓡ S1、以下S1)と比較して25%低減している。また、S2ではスイッチング時の電圧変化を、デバイス内部に設けたゲート抵抗とSJ層の濃度分布により決定される容量成分によって制御することで、S1と比較して低いEMIノイズ特性と高効率を実現した。