直流給電システムにおいては系統安定、安全性確保の観点から、放電を発生させずに高速で故障電流遮断を行う直流電流の遮断技術が課題となっている。本研究では、故障電流を検知した時に限流動作を行い、一定時間経過後に遮断する半導体遮断器の開発を目的とし、遮断素子候補となる半導体素子のスイッチング特性を継続評価している。遮断素子候補として、パワーMOSFET、SiC MOSFET、IGBTの電圧制御デバイスを選定した。これらのオン・オフ特性を、遮断素子のゲートに15Vのパルスを印加し、DC100V, 200V, 300Vで評価した結果、および設計した遮断器モデルの基礎特性を報告する。