走査型プローブ顕微鏡の一つである，AFM/KFM/SCFMの複合装置を開発し，空乏層の可視化を行った．市販のシリコン製ショットキーバリアダイオード（Si-SBD）を断面研磨し，その界面領域を，我々が開発しているAFM/KFM/SCFMによって観察した．逆バイアス印加による表面形状の差異は見られない．しかし，ケルビンプローブ力顕微鏡による電位観察からショットキー接合部の推定，及び走査型容量原子間力顕微鏡による，空乏層領域の可視化をSi-SBDへの逆バイアス印加観測により行った．結果から，空乏層幅の見積もりとエネルギーバンド図の描画を行い，当該装置をデバイス観察に適用可能であることが分かった．