SiC, GaNパワーデバイスを適用してスイッチング時のサージ電圧低減と損失低減を両立するためには，直流側配線の寄生インダクタンスの低減が有効である。従来は，直流側に一括のDCキャパシタを接続する手法が採用されている。これに対して，各相レグのスイッチング素子の直近にそれぞれDCキャパシタを分割して取り付ける構成が提案させている。本稿では，各相レグのスイッチング素子の直近にDCキャパシタを取り付けた単相インバータ回路を対象として，直流側に生じる共振現象によりキャパシタ電流が大幅に増加することを実験により明らかにし，その発生要因について考察した。