パワーエレクトロニクス機器は高効率・高パワー密度化が求められている。SiCやGaNデバイスの高速・高周波スイッチング性能を生かした高パワー密度化が期待されるが，スイッチング時のサージ電圧の抑制が課題である。筆者らは，サージ電圧を効果的に抑制する手法として，バレーフィル回路を応用した新しいスナバ回路(バレーフィルスナバ)を考案した。本論では，降圧チョッパ回路を用いてバレーフィルスナバ回路の動作検証を行うとともに，三相PWMインバータへの適用例とZVS・ZCSスナバへの拡張例を紹介する。今後はソフトスイッチング方式によるスイッチング損失の低減を確認し，三相PWMインバータの高効率化の検証を行う予定である。