q-Zソースインバータは、インバータ単体での昇圧・インバータ動作が可能であり、小型化を必要とされるEV 等の電力変換器として利用が期待されている。 しかし、本回路方式は、インピーダンスソース内のダイオードにより、電源への回生動作が行うことが出来ない。そこで、ダイオードに並列にスイッチングデバイスを接続し、回生動作に対応した回路方式が提案されている。 本研究では、このスイッチングデバイスを、双方向導通可能なMOSFETとすることを提案する。これにより電源への回生動作に加え、力行時にダイオードに同期して制御することで、素子電流の分流による導通損失低減が見込める。今回は、この提案の実験的検討の結果について報告する。