高速かつ低オン抵抗など優れた特性を有する窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタに着目し，筆者らは先に，単体でノーマリーオフを実現した600V耐圧のGaN-Heterojunction Field Effect Transistor(HFET)を電磁誘導方式非接触給電(IPT)ゼロ電圧ソフトスイッチング(ZVS)共振形コンバータ(以下，IPT-ZVSコンバータ)に適用して，その有用性を実証している。 本稿では，定格900[W]の試作器を基に，同耐圧かつ同電流定格のSuper-Junction(SJ) MOSFETとの相互比較により，GaN-HFETを適用したIPT-ZVSコンバータの有用性を実証する。特に，GaN-HFETの順方向および逆導通FETモードによる優れた効率特性を明らかにしたので，その結果を報告する。